SRAM+E2PROM存儲(chǔ)卡。
RAM容量：64KB。
E2PROM容量：64KB。4通道。
輸入：DC-10~10V DCO~20mA。
輸出（分辨率）：0~32000；-32000~32000；0~64000；-64000~64000Q24DHCCPU-LS怎么調(diào)試。
轉(zhuǎn)換速度：10ms/4通道。
18點(diǎn)端子臺(tái)。
通道之間隔離Q24DHCCPU-LS
以智能功能拓展控制的可能性。
通道隔離型模擬量模塊在實(shí)現(xiàn)高隔離電壓的同時(shí)，
進(jìn)一步提高了基準(zhǔn)精度。
為使用通用可編程控制器進(jìn)行過(guò)程控制提供支持Q24DHCCPU-LS怎么調(diào)試。
流量計(jì)、壓力表、其它傳感器等可直接連接至模擬量輸入，
控制閥也可直接連接至模擬量輸出。
由于不需要外部隔離放大器，硬件和安裝成本得以大幅降低。
高緣強(qiáng)度耐壓 。
可隔離電氣干擾，例如電流和噪音等。
標(biāo)準(zhǔn)型模擬量輸入模塊。
隔離型模擬量輸入模塊。
無(wú)需外部隔離放大器。
不使用通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。
使用了通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。集CNC與高速可編程控制器為一體。
整合了CNC與高速可編程控制器，有助于縮短總體運(yùn)行周期時(shí)間。
支持種類(lèi)豐富的FA模塊，可靈活滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求。輸出點(diǎn)數(shù)：64點(diǎn)。
輸出電壓及電流：DC12~24V；0.1A/點(diǎn)；2A/公共端。
OFF時(shí)漏電吸收器Q24DHCCPU-LS怎么調(diào)試。
帶保險(xiǎn)絲。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動(dòng)時(shí)間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時(shí)的數(shù)據(jù)，
檢驗(yàn)程序調(diào)試的時(shí)間等，可縮短設(shè)備故障分析時(shí)間和啟動(dòng)時(shí)間。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時(shí)間。
可用編程工具對(duì)收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，
并以圖表和趨勢(shì)圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過(guò)記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。
高速處理，生產(chǎn)時(shí)間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運(yùn)行周期時(shí)間是非常必要的。
通過(guò)高的基本運(yùn)算處理速度1.9ns，可縮短運(yùn)行周期。
除了可以實(shí)現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過(guò)減少總掃描時(shí)間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域Q24DHCCPU-LS編程手冊(cè)Q24DHCCPU-LS編程手冊(cè)。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。