輸入：2通道。
200/100/10kpps。
計(jì)數(shù)器輸入信號(hào)：DC5/12/24V。
外部輸入：DC5/12/24V。
統(tǒng)一輸出：晶體管(漏型)。
DC12/24VQ06CCPU-V-B初級(jí)教程。
0.1A/點(diǎn)。
0.4A/公共端。
40針連接器。
支持高分辨率設(shè)備。滿足高速控制應(yīng)用的脈沖輸入、高速計(jì)數(shù)器模塊產(chǎn)品群。
對(duì)高速脈沖串進(jìn)行計(jì)數(shù)的高速計(jì)數(shù)器模塊Q06CCPU-V-B
可與外部編碼器組合使用進(jìn)行定位等控制Q06CCPU-V-B初級(jí)教程。
可切換高計(jì)數(shù)速度，對(duì)從高速脈沖到上升沿/下降沿平緩的低頻脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù)。
每個(gè)1通道配備2點(diǎn)的外部一致輸出。
可根據(jù)用途選擇“一致輸出功能”、“連續(xù)比較功能”，實(shí)現(xiàn)外部設(shè)備的高速控制。（QD64D2）
提供多種功能，例如一致輸出測(cè)試功能（使用連續(xù)比較功能時(shí)）、預(yù)設(shè)功能、鎖存計(jì)數(shù)器功能，
以滿足各種應(yīng)用需求Q06CCPU-V-B初級(jí)教程。（ QD64D2）
輸入脈沖的高計(jì)數(shù)速度可達(dá)8Mpps （差分輸入、2相4倍頻時(shí)）。
可在半導(dǎo)體、液晶制造等對(duì)位置精度要求高的設(shè)備中，
使用高分辨率編碼器執(zhí)行的位置跟蹤。（ QD65PD2）SRAM存儲(chǔ)卡。
RAM容量：512KB。分辨率262144PLS/resQ06CCPU-V-B(結(jié)構(gòu)化文本篇)。
允許轉(zhuǎn)速3600r/min。
軸的允許載荷：徑向大為19.6N，軸向大為9.8N。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程Q06CCPU-V-B(結(jié)構(gòu)化文本篇)。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域Q06CCPU-V-B(結(jié)構(gòu)化文本篇)。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。容量：32M字節(jié)。
更好的用戶體驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向?qū)лp松完成設(shè)置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲(chǔ)卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各種參考資料，
包括日常報(bào)告、生成報(bào)報(bào)表及一般報(bào)告Q06CCPU-V-B編程手冊(cè)。
這些資料可應(yīng)用于啟動(dòng)時(shí)的數(shù)據(jù)分析、追溯等。
只需插入入SD存儲(chǔ)卡，即可自動(dòng)記錄Q06CCPU-V-B初級(jí)教程。
只需在CPU中插入保存了記錄設(shè)定文件的SD存儲(chǔ)卡，即可自動(dòng)開始記錄。
即使在需要進(jìn)行遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)收集時(shí)，
通過郵件接收記錄設(shè)定文件并將其到SD存儲(chǔ)卡中后，
即可立即開始記錄。