SRAM存儲器卡；容量：8M字節(jié)。
支持SD存儲卡。
高速通用型QCPU支持SD存儲卡，
從而能夠與有SD存儲卡插口的PC之間輕松地實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)交換。
另外、可同時(shí)使用SD存儲卡和擴(kuò)展SRAM卡QS001CPU使用案例。
因此，可利用擴(kuò)展SRAM卡擴(kuò)展文件寄存器，
可利用SD存儲卡同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)文件記錄、大量注釋數(shù)據(jù)保存、通過存儲卡進(jìn)行引導(dǎo)運(yùn)行QS001CPU

只需插入SD存儲卡，即可自動記錄。
只需在CPU中插入保存了記錄設(shè)定文件的SD存儲卡，即可自動開始記錄QS001CPU使用案例。
即使在需要進(jìn)行遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)收集時(shí)，
通過郵件接收記錄設(shè)定文件并將其到SD存儲卡中后，
即可立即開始記錄。
更好的用戶體驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向?qū)лp松完成設(shè)置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲卡QS001CPU使用案例。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各種參考資料，
包括日常報(bào)告、生成報(bào)表及一般報(bào)告。
這些資料可應(yīng)用于啟動時(shí)的數(shù)據(jù)分析、追溯等。
毫無遺漏地記錄控制數(shù)據(jù)的變動
可在每次順序掃描期間或者在毫秒時(shí)間間隔內(nèi)收集數(shù)據(jù)，
毫無遺漏地記錄的控制數(shù)據(jù)的變動。
因此，在發(fā)生故障時(shí)，可快速確定原因，進(jìn)行的動作分析QS001CPU(結(jié)構(gòu)化文本)。輸入：4通道。
輸入：DC-10~10V、DC0~20mA。
輸出（分辨率）：0~4000、-4000~4000、0~12000、0~16000、-16000~16000。
轉(zhuǎn)換速度度：500μs/1通道。
18點(diǎn)端子排。
以智能功能拓展控制的可能性。
通道隔離型模擬量模塊在實(shí)現(xiàn)高隔離電壓的同時(shí)，
進(jìn)一步提高了基準(zhǔn)精度QS001CPU(結(jié)構(gòu)化文本)。
為使用通用可編程控制器進(jìn)行過程控制提供支持。
流量計(jì)、壓力表、其它傳感器等可直接連接至模擬量輸入，
控制閥也可直接連接至模擬量輸出。
由于不需要外部隔離放大器，硬件和安裝成本得以大幅降低QS001CPU(結(jié)構(gòu)化文本)。
高緣強(qiáng)度耐壓 。
可隔離電氣干擾，例如電流和噪音等。
標(biāo)準(zhǔn)型模擬量輸入模塊。
隔離型模擬量輸入模塊。
無需外部隔離放大器。
不使用通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。
使用了通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。安裝DIN導(dǎo)軌用的適配器。
用于Q35B-E、Q65B、Q00JCPU。三相4線式。
測量電路數(shù)：1個(gè)電路。
測量項(xiàng)目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡單地測量多種能量信息的電能測量模塊產(chǎn)品群。
僅用一個(gè)模塊，即可測量與電量（消耗及再生）、無功電量、電流、電壓、功率、功率因數(shù)以及頻率有關(guān)的各種詳細(xì)信息。
無需梯形圖程序即可持續(xù)監(jiān)視小值和大值，亦可執(zhí)行2種類型的上限/下限報(bào)警。
只有在ON狀態(tài)期間，才可測量輸出設(shè)備所使用的電量。
因此可獲得設(shè)備運(yùn)行期間的電量以及節(jié)拍單位內(nèi)的電量。QS001CPU編程手冊。
在一個(gè)插槽中使用3相3線式產(chǎn)品多可測量4個(gè)電路，
使用3相4線式產(chǎn)品多可測量3個(gè)電路，
因此通過多電路型產(chǎn)品可在較小空間中實(shí)施電能測量QS001CPU使用案例。
例如，可使用一個(gè)模塊測量來自控制面板干線的其他負(fù)載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設(shè)置參數(shù)。