輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
開關(guān)容量：DC24V，0.5 A，源型。
所需字?jǐn)?shù)：1字。
將單元安裝到CPU裝置時(shí)，多可控制960點(diǎn)。
CS1提高空間效率。只需將10個(gè)基本I/O單元(各96個(gè)I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置，
即可控制多達(dá)960個(gè)I/O點(diǎn)C500-LK201-V1技術(shù)說明。或者，通過按住五個(gè)模擬量輸入單元和五個(gè)模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個(gè)模擬量I/O點(diǎn)C500-LK201-V1
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷新期間，CPU總線單元才會(huì)發(fā)生I/O刷新C500-LK201-V1技術(shù)說明。
但是，借助新CS1，通過使用DLNK指令，可立即刷新I/O。
立即刷新特定于CPU總線單元的過程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過程。cmos-ram單元：電容器備份。
UM：3K字；
DM：1K字。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲(chǔ)器1可使用PID控制指令自動(dòng)調(diào)整PID常數(shù)C500-LK201-V1技術(shù)說明。
限制周期方式用于自動(dòng)調(diào)整，因此可快速完成調(diào)整。
這對(duì)于多回路PID控制非常有效。
定位(使用XY表)
新csl具有許多雙精度處理指令可用于浮點(diǎn)十進(jìn)制運(yùn)算，
從而支持以更定位。
錯(cuò)誤狀態(tài)生成以供調(diào)試
通過執(zhí)行診斷指令((FAL/FALS),可模擬錯(cuò)誤狀態(tài)。
在新CS1中，對(duì)于根據(jù)CPU單元的錯(cuò)誤狀態(tài)在PT或其他顯示設(shè)備上顯示信息的應(yīng)用，
調(diào)試非常簡(jiǎn)單。輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)、漏型。
額定電壓：DC24V。
大負(fù)載電流：0.3A。
外部接線：拆卸端子塊。
SYSBUS遠(yuǎn)程I/O從站機(jī)架：可以。
占用單元數(shù)：1CH。
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：U、C、N、L、CE。
新改進(jìn)的特殊I/O單元使得PC應(yīng)用更為容易。
新增加了運(yùn)動(dòng)控制單元、雙軸高速計(jì)數(shù)器單元、8點(diǎn)模擬量I/O單元，
4點(diǎn)模擬量I/O混合單元。
安裝在CPU上特殊I/O單元數(shù)目已從多10個(gè)增加到16個(gè)，
它更充分利用了C200HX/HG PPC的功能，
正確組合特殊I/O單元可以容易地對(duì)被控制系統(tǒng)進(jìn)行管理理C500-LK201-V1用戶手冊(cè)C500-LK201-V1用戶手冊(cè)。
可實(shí)現(xiàn)智能I/O讀寫指令。
只執(zhí)行1條指令即可以傳送多個(gè)字的數(shù)據(jù)與C200HS兼容的全部特殊I/O單元都可以照常使用。
SYSMAC C200HX/HG/HE系列逐漸成為受用戶的喜愛的強(qiáng)有力的PC。