5槽；需要1個(gè)AnS系列PLC電源模塊；
用于安裝大AnS系列PLC模塊。
AnS系列PLC的基板底板。
QA1S系列PLC 5槽主基板。
AnS系列的模塊可安裝Q06CCPU-V-B使用案例。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：1024點(diǎn)。
輸入輸出元件數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：15 K步。
處理速度：0.06 μs。
程序存儲器容量：60 KBQ06CCPU-V-B
支持USB和RS232。
不能安裝記憶卡Q06CCPU-V-B使用案例。
高速處理，生產(chǎn)時(shí)間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運(yùn)行周期時(shí)間是非常必要的。
通過高的基本運(yùn)算處理速度1.9ns，可縮短運(yùn)行周期。
除了可以實(shí)現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時(shí)間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
高速、數(shù)據(jù)處理Q06CCPU-V-B使用案例。
實(shí)數(shù)(浮點(diǎn))運(yùn)算的處理速度實(shí)現(xiàn)了大幅度提高，
加法指令達(dá)到了0.014μs，
因此可支持要求高速、的加工數(shù)據(jù)等的運(yùn)算處理。
此外，還新增加了雙精度浮點(diǎn)運(yùn)算指令，
簡化了編程，降低了執(zhí)行復(fù)雜算式時(shí)的運(yùn)算誤差。SRAM存儲卡。
RAM容量：256KBQ06CCPU-V-B(基本面)。輸入：2通道。
500/200/100/10kpps。
計(jì)數(shù)器輸入信號：DC5/12/24V。
外部輸入：DC5/12/24V。
統(tǒng)一輸出：晶體管(漏型)。
DC12/24V。
0.5A/點(diǎn)。
2A公共端。
40針連接器。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：1024點(diǎn)。
輸入輸出數(shù)據(jù)設(shè)備點(diǎn)數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：60kQ06CCPU-V-B(基本面)。
基本命令處理速度(LD命令)：0.2μS。
指令執(zhí)行所需的時(shí)間和用戶程序的長短、指令的種類和CPU執(zhí)行速度是有很大關(guān)系，
一般來說，一個(gè)掃描的過程中，故障診斷時(shí)間，
通信時(shí)間，輸入采樣和輸出刷新所占的時(shí)間較少，
執(zhí)行的時(shí)間是占了大部分Q06CCPU-V-B(基本面)。
光電耦合器由兩個(gè)發(fā)光二極度管和光電三極管組成。
發(fā)光二級管：在光電耦合器的輸入端加上變化的電信號，
發(fā)光二極管就產(chǎn)生與輸入信號變化規(guī)律相同的光信號。
輸入接口電路工作過程：當(dāng)開關(guān)合上，二極管發(fā)光，
然后三極管在光的照射下導(dǎo)通，向內(nèi)部電路輸入信號。
當(dāng)開關(guān)斷開，二極管不發(fā)光，三極管不導(dǎo)通。向內(nèi)部電路輸入信號。
也就是通過輸入接口電路把外部的開關(guān)信號轉(zhuǎn)化成PLC內(nèi)部所能接受的數(shù)字信號。
光電三級管：在光信號的照射下導(dǎo)通，導(dǎo)通程度與光信號的強(qiáng)弱有關(guān)。
在光電耦合器的線性工作區(qū)內(nèi)，輸出信號與輸入入信號有線性關(guān)系Q06CCPU-V-B編程手冊。
用戶程序存儲容量：是衡量可存儲用戶應(yīng)用程序多少的指指標(biāo)Q06CCPU-V-B使用案例。
通常以字或K字為單位。16位二進(jìn)制數(shù)為一個(gè)字，
每1024個(gè)字為1K字。PLC以字為單位存儲指令和數(shù)據(jù)。
一般的邏輯操作指令每條占1個(gè)字。定時(shí)/計(jì)數(shù)，
移位指令占2個(gè)字。數(shù)據(jù)操作指令占2~4個(gè)字。