電纜長(zhǎng)度：5m。
擴(kuò)展連接電纜連接CPU底板至擴(kuò)展底板或裝一個(gè)擴(kuò)展底板連接至另一個(gè)擴(kuò)展底板。
下列五種型號(hào)I/O連接電纜可供選用。
在一個(gè)網(wǎng)絡(luò)中，I/O連接電纜總長(zhǎng)度多只能12米CS1H-CPU63H參數(shù)設(shè)置。
C200H-CN311(30cm)，
C200H-CN711(70cm)，
C200H-CN221(200cm)，
C200H-CN521(500cm)，
C200H-CN131(1000cm)CS1H-CPU63H容量：16K字。
使用SYSMAC-CPT時(shí)，不能進(jìn)行EPROM的寫(xiě)入CS1H-CPU63H參數(shù)設(shè)置。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫(xiě)入器。
在EPPROM內(nèi)存卡裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM內(nèi)存卡內(nèi)。
若將EPROM內(nèi)存卡從CPU上拆下，
不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。10槽，可以安裝10個(gè)模塊。
只能用于CS系列PLC的模塊。
兩個(gè)擴(kuò)展裝置系列，長(zhǎng)度多達(dá)50米，適用于長(zhǎng)距離擴(kuò)展，
多可包括72個(gè)單元和7個(gè)裝置。
由于在12m距離內(nèi)具備多達(dá)80個(gè)單元和7個(gè)裝置的擴(kuò)展容量，CS1可滿足大型控制需求。
或者，一個(gè)I/O控制單元和多個(gè)I/O接口單元可用于連接兩個(gè)系列的CS1長(zhǎng)距離擴(kuò)展裝置
(各延長(zhǎng)多達(dá)50m且共包含多達(dá)72個(gè)元和7個(gè)裝置)。CS1基本I/O單元、CS1高功能I
注:C200H單元不能安裝在長(zhǎng)距離擴(kuò)展裝置中CS1H-CPU63H參數(shù)設(shè)置。輸入點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
輸入電壓和電流：7mA，24VDC。
提高指令執(zhí)行速度和總體性能
除了進(jìn)一步改進(jìn)指令執(zhí)行引擎(總體PLC性能能可并行處理指令執(zhí)行和外圍處理的模式，從而的核心)，
RISC集成電路塊也已升級(jí)，可實(shí)現(xiàn)總體速度的平衡改進(jìn)。
業(yè)界快的指令執(zhí)行性能。輸出點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)。
開(kāi)關(guān)容量：AC250V，1.2A以下。
所需字?jǐn)?shù)：1字。
將單元安裝到CPU裝置時(shí)，多可控制960點(diǎn)。
CS1提高空間效率。只需將10個(gè)基本I/O單元(各96個(gè)I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置，
即可控制多達(dá)960個(gè)I/O點(diǎn)?；蛘?，通過(guò)按住五個(gè)模擬量輸入單元和五個(gè)模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個(gè)模擬量I/O點(diǎn)。
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷新期期間，CPU總線單元才會(huì)發(fā)生I/O刷新CS1H-CPU63H參考手冊(cè)。
但是，借助新CS1，通過(guò)使用用DLNK指令，可立即刷新I/OCS1H-CPU63H參考手冊(cè)。
立即刷新特定于CPU總線單元的過(guò)程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過(guò)程。