Q1MEM-1MSE產(chǎn)品特點及功能介紹：
8通道。
輸入：DC-10~10V。
輸出（分辨率）：0~4000；-4000~4000；0~12000；-12000~1200；0~16000；-16000~16000。
轉(zhuǎn)換速度80μs/1通道。
18點端子臺。
以智能功能拓展控制的可能性。
提供各種模擬量模塊，是應(yīng)用于過程控制應(yīng)用的理想選擇。
也可滿足高速、控制需求Q1MEM-1MSE
適合用于要求高速轉(zhuǎn)換控制領(lǐng)域的模擬量模塊。
可提供多種模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊產(chǎn)品。
這些模塊功能多樣，在連接設(shè)備時，實現(xiàn)了大的靈活性。
可滿足變頻器控制等高速轉(zhuǎn)換需求。
具有卓越性能的各種模塊,
滿足從模擬量到定位的各種控制需求。
Q系列模塊產(chǎn)品包括種類豐富的各種I/O、模擬量和定位功能模塊。
可地滿足開關(guān)、傳感器等的輸入輸出，溫度、重量、流量和電機、驅(qū)動器的控制，
以及要求控制的定位等各行業(yè)、各領(lǐng)域的控制需求。
還可與CPU模塊組合使用，實現(xiàn)恰如其分的控制。SRAM存儲器卡；容量：4M字節(jié)。
支持SD存儲卡。
高速通用型QCPU支持SD存儲卡，
從而能夠與有SD存儲卡插口的PC之間輕松地實現(xiàn)數(shù)據(jù)交換。
另外、可同時使用SD存儲卡和擴展SRAM卡。
因此，可利用擴展SRAM卡擴展文件寄存器，
可利用SD存儲卡同時進行數(shù)據(jù)文件記錄、大量注釋數(shù)據(jù)保存、通過存儲卡進行引導(dǎo)運行。
只需插入SD存儲卡，即可自動記錄。
只需在CPU中插入保存了記錄設(shè)定文件的SD存儲卡，即可自動開始記錄。
即使在需要進行遠程數(shù)據(jù)收集時，
通過郵件接收記錄設(shè)定文件并將其到SD存儲卡中后，
即可立即開始記錄。
更好的用戶體驗數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向?qū)лp松完成設(shè)置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各種參考資料，
包括日常報告、生成報表及一般報告。
這些資料可應(yīng)用于啟動時的數(shù)據(jù)分析、追溯等。
毫無遺漏地記錄控制數(shù)據(jù)的變動
可在每次順序掃描期間或者在毫秒時間間隔內(nèi)收集數(shù)據(jù)，
毫無遺漏地記錄的控制數(shù)據(jù)的變動。
因此，在發(fā)生故障時，可快速確定原因，進行的動作分析。輸入輸出點數(shù)：1024點。
輸入輸出數(shù)據(jù)設(shè)備點數(shù)：8192點。
程序容量：60k。
基本命令處理速度(LD命令)：0.2μS。
指令執(zhí)行所需的時間和用戶程序的長短、指令的種類和CPU執(zhí)行速度是有很大關(guān)系，
一般來說，一個掃描的過程中，故障診斷時間，
通信時間，輸入采樣和輸出刷新所占的時間較少，
執(zhí)行的時間是占了大部分。
光電耦合器由兩個發(fā)光二極度管和光電三極管組成。
發(fā)光二級管：在光電耦合器的輸入端加上變化的電信號，
發(fā)光二極管就產(chǎn)生與輸入信號變化規(guī)律相同的光信號。
輸入接口電路工作過程：當(dāng)開關(guān)合上，二極管發(fā)光，
然后三極管在光的照射下導(dǎo)通，向內(nèi)部電路輸入信號。
當(dāng)開關(guān)斷開，二極管不發(fā)光，三極管不導(dǎo)通。向內(nèi)部電路輸入信號。
也就是通過輸入接口電路把外部的開關(guān)信號轉(zhuǎn)化成PLC內(nèi)部所能接受的數(shù)字信號。
光電三級管：在光信號的照射下導(dǎo)通，導(dǎo)通程度與光信號的強弱有關(guān)。
在光電耦合器器的線性工作區(qū)內(nèi)，輸出信號與輸入信號有線性關(guān)系。
用戶程序存儲容量：是衡量可存儲用戶應(yīng)用程序多少的指指標(biāo)。
通常以字或K字為單位。16位二進制數(shù)為一個字，
每1024個字為1K字。PLC以字為單位存儲指令和數(shù)據(jù)。
一般的邏輯操作指令每條占1個字。定時/計數(shù)，
移位指令占2個字。數(shù)據(jù)操作指令占2~4個字。
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