QD75P2N產(chǎn)品特點及功能介紹：
SRAM存儲器卡；容量：4M字節(jié)。
支持SD存儲卡。
高速通用型QCPU支持SD存儲卡，
從而能夠與有SD存儲卡插口的PC之間輕松地實現(xiàn)數(shù)據(jù)交換。
另外、可同時使用SD存儲卡和擴展SRAM卡。
因此，可利用擴展SRAM卡擴展文件寄存器，
可利用SD存儲卡同時進(jìn)行數(shù)據(jù)文件記錄、大量注釋數(shù)據(jù)保存、通過存儲卡進(jìn)行引導(dǎo)運行QD75P2N
只需插入SD存儲卡，即可自動記錄。
只需在CPU中插入保存了記錄設(shè)定文件的SD存儲卡，即可自動開始記錄。
即使在需要進(jìn)行遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)收集時，
通過郵件接收記錄設(shè)定文件并將其到SD存儲卡中后，
即可立即開始記錄。
更好的用戶體驗數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向?qū)лp松完成設(shè)置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各種參考資料，
包括日常報告、生成報表及一般報告。
這些資料可應(yīng)用于啟動時的數(shù)據(jù)分析、追溯等。
毫無遺漏地記錄控制數(shù)據(jù)的變動
可在每次順序掃描期間或者在毫秒時間間隔內(nèi)收集數(shù)據(jù)，
毫無遺漏地記錄的控制數(shù)據(jù)的變動。
因此，在發(fā)生故障時，可快速確定原因，進(jìn)行的動作分析。輸出點數(shù)：32點。
輸出電壓及電流：DC5～24V 0.2A/1點。
2A/1公共端。
OFF時漏電流：0.1mA。
應(yīng)答時間：1ms。
16點1個公共端。
漏型。
40針連接器。
帶熱防護(hù)。
帶短路保護(hù)。
帶浪涌吸收器。
高速處理，生產(chǎn)時間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運行周期時間是非常必要的。
通過高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實現(xiàn)以往與單片機控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時的數(shù)據(jù)，
檢驗程序調(diào)試的時間等，可縮短設(shè)備故障分析時間和啟動時間。。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時間。
可用編程工具對收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。
QD75P2N操作手冊/說明書/選型樣本下載地址: /searchDownload.html?Search=QD75P2N&select=5