手動肪沖發生器/INC同步編碼器輸入：
可使用臺數：3臺/1個模塊。
方便處理大容量數據。
以往無法實現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時需要考慮各區域的邊界Q25HCPU參數設置教程。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續的文件寄存器，
容量多可達4736K字，從而簡化了編程Q25HCPU
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域Q25HCPU參數設置教程。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統的32K字，
并實現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間Q25HCPU參數設置教程。輸入：4通道。
熱電偶(K、J、T、B、S、E、R、N、U、L、PLlI、W5Re/W26Re)。
加熱器斷線檢測功能。
采樣周期：0.5s/4 通道。
18點端子臺x2 。
尖峰電流功能。
可防止同時打開輸出以控制尖峰電流，有助于節能及降低運行成本Q25HCPU(結構化文本篇)。
同時升溫功能。
使多個回路同時達到設置值，以進行均勻的溫度控制，
有助于防止空載并有效節能及降低運行成本。
自動調整功能。
可在控制過程中自動調節PID常數。
可降低自動調整成本（時間、材料和電能）。
可靈活進行各種設置，實現佳溫度控制的溫度調節模塊。
針對擠壓成型機等溫度控制穩定性要求高的設備，
溫度調節模塊具有防過熱和防過冷的功能Q25HCPU(結構化文本篇)。
可根據控制對象設備，選擇標準控制（加熱或冷卻）或加熱冷卻控制（加熱和冷卻）模式。
此外，也可選擇混合控制模式（結合了標準控制和加熱-冷卻控制）。輸出點數：16點Q25HCPU(結構化文本篇)。
輸出電壓及電流：DC12~24V；0.5A/點；4A公共端。
OFF時漏電流：0.1mA。
應答時間：1ms。
16點1個公共端。
漏型。
18點端子臺。
帶浪涌吸收器。
帶保險絲。
高速處理，生產時間縮短，更好的性能。
隨著應用程序變得更大更復雜，縮短系統運行周期時間是非常必要的。
通過高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實現以往與單片機控制相聯系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統性能，
防止任何可能出現的性能偏差。
方便處理大容量數據。
以往無法實現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時需要考慮各區域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續的文件寄存器，
容量多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統的32K字，
并實現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發生故障時的數據，
檢驗程序調試的時間等，可縮短設備故障分析時間和啟動時間。
此外，在多CPU系統中也也有助于確定CPU模塊之間的數據收發時間Q25HCPU編程手冊。
可用編程工具對收集的數據進行分分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數據變化Q25HCPU參數設置教程。
并且,可將采樣跟蹤結果以GX LogViewer形式的CSV進行保存，
通過記錄數據顯示、分析工具GX LogViewer進行顯示。