SRAM存儲卡。
RAM容量：256KB。三相4線式。
測量電路數：1個電路。
測量項目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡單地測量多種能量信息的電能測量模塊產品群QD75P2N參數設置。
僅用一個模塊，即可測量與電量（消耗及再生）、無功電量、電流、電壓、功率、功率因數以及頻率有關的各種詳細信息。
無需梯形圖程序即可持續監視小值和大值，亦可執行2種類型的上限/下限報警QD75P2N
只有在ON狀態期間，才可測量輸出設備所使用的電量。
因此可獲得設備運行期間的電量以及節拍單位內的電量QD75P2N參數設置。
在一個插槽中使用3相3線式產品多可測量4個電路，
使用3相4線式產品多可測量3個電路，
因此通過多電路型產品可在較小空間中實施電能測量。
例如，可使用一個模塊測量來自控制面板干線的其他負載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設置參數。輸出點數：16點。
輸出電壓及電流：DC5~12V；16mA/點；256mA/公共端。
應答時間：0.5ms。
16點1個公共端。
漏型。
18點端于臺。
帶保險絲。
高速處理，生產時間縮短，更好的性能。
隨著應用程序變得更大更復雜，縮短系統運行周期時間是非常必要的。
通過高的基本運算處理速度1.9ns，可性能，
防止任何可能出現的性能偏差QD75P2N參數設置。
方便處理大容量數據。
以往無法實現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時需要考慮各區域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續的文件寄存器，
容量多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統的32K字，
并實現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發生故障時的數據，
檢驗程序調試的時間等，可縮短設備故障分析時間和啟動時間。
此外，在多CPU系統統中也有助于確定CPU模塊之間的數據收發時間QD75P2N用戶手冊。
可用編程工具對收集的數據進行分分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數據變化QD75P2N用戶手冊。
并且,可將采樣跟蹤結果以GX LogViewer形式的CSV進行保存，
通過記錄數據顯示、分析工具GX LogViewer進行顯示。