SRAM存儲卡。
RAM容量：256KB。三相4線式。
測量電路數(shù)：1個電路。
測量項目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡單地測量多種能量信息的電能測量模塊產(chǎn)品群QD75P2N參數(shù)設置。
僅用一個模塊，即可測量與電量（消耗及再生）、無功電量、電流、電壓、功率、功率因數(shù)以及頻率有關的各種詳細信息。
無需梯形圖程序即可持續(xù)監(jiān)視小值和大值，亦可執(zhí)行2種類型的上限/下限報警QD75P2N
只有在ON狀態(tài)期間，才可測量輸出設備所使用的電量。
因此可獲得設備運行期間的電量以及節(jié)拍單位內的電量QD75P2N參數(shù)設置。
在一個插槽中使用3相3線式產(chǎn)品多可測量4個電路，
使用3相4線式產(chǎn)品多可測量3個電路，
因此通過多電路型產(chǎn)品可在較小空間中實施電能測量。
例如，可使用一個模塊測量來自控制面板干線的其他負載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設置參數(shù)。輸出點數(shù)：16點。
輸出電壓及電流：DC5~12V；16mA/點；256mA/公共端。
應答時間：0.5ms。
16點1個公共端。
漏型。
18點端于臺。
帶保險絲。
高速處理，生產(chǎn)時間縮短，更好的性能。
隨著應用程序變得更大更復雜，縮短系統(tǒng)運行周期時間是非常必要的。
通過高的基本運算處理速度1.9ns，可性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差QD75P2N參數(shù)設置。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標準RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數(shù)據(jù)（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時的數(shù)據(jù)，
檢驗程序調試的時間等，可縮短設備故障分析時間和啟動時間。
此外，在多CPU系統(tǒng)統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時間QD75P2N用戶手冊。
可用編程工具對收集的數(shù)據(jù)進行分分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化QD75P2N用戶手冊。
并且,可將采樣跟蹤結果以GX LogViewer形式的CSV進行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進行顯示。