輸入：4通道。
熱電偶(K、J、T、B、S、E、R、N、U、L、PLlI、W5Re/W26Re) 。
無(wú)加熱器斷線檢測(cè)功能。
采樣周期：0.5s/4 通道。
18點(diǎn)端子臺(tái)QD75P1N基礎(chǔ)知識(shí)。
尖峰電流功能。
可防止同時(shí)打開(kāi)輸出以控制尖峰電流，有助于節(jié)能及降低運(yùn)行成本。
同時(shí)升溫功能。
使多個(gè)回路同時(shí)達(dá)到設(shè)置值，以進(jìn)行均勻的溫度控制，
有助于防止空載并有效節(jié)能及降低運(yùn)行成本QD75P1N
自動(dòng)調(diào)整功能。
可在控制過(guò)程中自動(dòng)調(diào)節(jié)PID常數(shù)。
可降低自動(dòng)調(diào)整成本（時(shí)間、材料和電能）。
可靈活進(jìn)行各種設(shè)置，實(shí)現(xiàn)佳溫度控制的溫度調(diào)節(jié)模塊QD75P1N基礎(chǔ)知識(shí)。
針對(duì)擠壓成型機(jī)等溫度控制穩(wěn)定性要求高的設(shè)備，
溫度調(diào)節(jié)模塊具有防過(guò)熱和防過(guò)冷的功能。
可根據(jù)控制對(duì)象設(shè)備，選擇標(biāo)準(zhǔn)控制（加熱或冷卻）或加熱冷卻控制（加熱和冷卻）模式。
此外，也可選擇混合控制模式（結(jié)合了標(biāo)準(zhǔn)控制和加熱-冷卻控制）。分辨率262144PLS/res。
允許轉(zhuǎn)速3600r/min。
軸的允許載荷：徑向大為19.6N，軸向大為9.8N。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域QD75P1N基礎(chǔ)知識(shí)。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。SRAM+E2PROM存儲(chǔ)卡。
RAM容量：128KB。
E2PROM容量：128KB。1軸，差分驅(qū)動(dòng)器輸出型。
控制單位：mm、英寸、度、脈沖。
定位數(shù)據(jù)數(shù)：600個(gè)數(shù)據(jù)/軸。
大脈沖輸出：1Mpps。
40針連接器。
定位模塊。
開(kāi)路集電極輸出型。
差分驅(qū)動(dòng)器輸出型。
也可滿足高速、控制需求。
適合用于要求高速轉(zhuǎn)換控制領(lǐng)域的模擬量模塊。
可提供多種模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊產(chǎn)品。
這些模塊功能多樣，在連接設(shè)備時(shí)，實(shí)現(xiàn)了大的靈活性。
可滿足變頻器控制等高速轉(zhuǎn)換需求。
具有卓越性能的各種模塊,
滿足從模擬量到定位的各種控制需求。
Q系列模塊產(chǎn)品包括種類(lèi)豐富的各種I/O、模擬量和定位功能模塊。
可地滿足開(kāi)關(guān)、傳感器等的輸入輸出，溫度、重量、流量和電機(jī)、驅(qū)動(dòng)器的控制，
以及要求控制的定位等各行業(yè)、各領(lǐng)域的控制需求。
還可與CPU模塊組合使用，實(shí)現(xiàn)恰如其分的控制。
以智能功能拓展控制的可能性。
提供各種模擬量模塊，是應(yīng)用于過(guò)程控控制應(yīng)用的理想選擇QD75P1N用戶手冊(cè)。
根據(jù)用途分為開(kāi)路集電極輸出型和差分驅(qū)動(dòng)器輸出型 2 種類(lèi)類(lèi)型QD75P1N用戶手冊(cè)。
差分驅(qū)動(dòng)器輸出型定位模塊可將高速指令脈沖 ( 高 4Mpps) 可靠地傳輸至伺服放大器，
傳輸距離可達(dá) 10 米，實(shí)現(xiàn)高速的控制。
（開(kāi)路集電極型定位模塊的指令脈沖高為200kpps。）